產(chǎn)品詳情
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3、NPT-IGBT2、U-IGBT內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ2400R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ2400R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ2400R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨FZ2400R12KF4FZ2400R12KF4FZ2400R12KF4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。4、SDB--IGBTMOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ2400R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ2400R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ2400R12KF4,圖片大量現(xiàn)貨判斷好壞FZ2400R12KF4
